參數(shù)資料
型號(hào)： MRF7S19100NR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 9/15頁
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代理商： MRF7S19100NR1
MRF7S19100NR1 MRF7S19100NBR1
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Z
o
= 5
Ω
Z
load
f = 1880 MHz
Z
source
f = 2040 MHz
f = 1880 MHz
f = 2040 MHz
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1000 mA, P
out
= 29 W Avg.
f
MHz
Z
source
Z
load
1880
4.257 - j2.758
2.143 - j3.408
1900
4.388 - j2.617
2.038 - j3.236
1920
4.521 - j2.560
1.944 - j3.066
1940
1960
4.568 - j2.630
4.424 - j2.758
1.858 - j2.898
1.775 - j2.725
1980
4.124 - j2.800
1.708 - j2.550
2000
3.819 - j2.611
1.643 - j2.387
2020
3.567 - j2.292
1.572 - j2.223
2040
3.525 - j1.844
1.487 - j2.029
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MRF7S18170HSR3 RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
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