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參數(shù)資料
| 型號： | MRF7S18170HSR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs) |
| 中文描述： | 射頻功率場效應晶體管（N溝道增強型MOSFET的側(cè)） |
| 文件頁數(shù)： | 11/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 487K |
| 代理商： | MRF7S18170HSR3 |
MRF7S18170HR3 MRF7S18170HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Z
o
= 10
Ω
Z
load
f = 1920 MHz
Z
source
f = 1760 MHz
f = 1760 MHz
f = 1920 MHz
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 mA, P
out
= 50 W Avg.
f
MHz
Z
source
Z
load
1760
1.93 - j6.00
1.13 - j2.65
1780
1.95 - j6.10
1.05 - j2.45
1800
1.99 - j6.18
0.97 - j2.29
1820
1.95 - j6.22
0.90 - j2.12
1840
1.85 - j6.30
0.85 - j2.00
1860
1.71 - j6.26
0.81 - j1.84
1880
1.55 - j6.25
0.75 - j1.70
1900
1.39 - j6.20
0.70 - j1.54
1920
1.23 - j6.15
0.67 - j1.38
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 18. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MRF7S19080HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF7S19080HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF7S19080HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV7 1.9GHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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