參數資料
型號： BT136X_SERIES
英文描述： Triacs
中文描述： 雙向可控硅
文件頁數： 179/224頁
文件大?。?/td> 2697K
代理商： BT136X_SERIES
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁當前第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁
2002 Teccor Electronics
Thyristor Product Catalog
AN1008 - 1
http://www.teccor.com
+1 972-580-7777
8
Explanation of Maximum Ratings and
Characteristics for Thyristors
Introduction
Data sheets for SCRs and triacs give vital information regarding
maximum ratings and characteristics of thyristors. If the
maxi-
mum ratings
of the thyristors are surpassed, possible irrevers-
ible damage may occur. The
characteristics
describe various
pertinent device parameters which are guaranteed as either min-
imums or maximums. Some of these characteristics relate to the
ratings but are not ratings in themselves. The characteristic does
not define what the circuit must provide or be restricted to, but
defines the device characteristic. For example, a minimum value
is indicated for the dv/dt because this value depicts the guaran-
teed worst-case limit for all devices of the specific type. This min-
imum dv/dt value represents the maximum limit that the circuit
should allow.
Maximum Ratings
V
RRM
: Peak Repetitive Reverse Voltage — SCR
The peak repetitive reverse voltage rating is the maximum peak
reverse voltage that may be continuously applied to the main ter-
minals (anode, cathode) of an SCR. (Figure AN1008.1) An open-
gate condition and gate resistance termination is designated for
this rating. An increased reverse leakage can result due to a pos-
itive gate bias during the reverse voltage exposure time of the
SCR. The repetitive peak reverse voltage rating relates to case
temperatures up to the maximum rated junction temperature.
Figure AN1008.1
V-I Characteristics of SCR Device
V
DRM
: Peak Repetitive Forward (Off-state) Voltage
SCR
The peak repetitive forward (off-state) voltage rating (Figure
AN1008.1) refers to the maximum peak forward voltage which
may be applied continuously to the main terminals (anode, cath-
ode) of an SCR. This rating represents the maximum voltage the
SCR should be required to block in the forward direction. The
SCR may or may not go into conduction at voltages above the
V
DRM
rating. This rating is specified for an open-gate condition
and gate resistance termination. A positive gate bias should be
avoided since it will reduce the forward-voltage blocking capabil-
ity. The peak repetitive forward (off-state) voltage rating applies
for case temperatures up to the maximum rated junction temper-
ature.
Triac
The peak repetitive off-state voltage rating should not be sur-
passed on a typical, non-transient, working basis. (Figure
AN1008.2) V
should not be exceeded even instantaneously.
This rating applies for either positive or negative bias on main
terminal 2 at the rated junction temperature. This voltage is less
than the minimum breakover voltage so that breakover will not
occur during operation. Leakage current is controlled at this volt-
age so that the temperature rise due to leakage power does not
contribute significantly to the total temperature rise at rated cur-
rent.
Figure AN1008.2
V-I Characteristics of Triac Device
Reverse
Breakdown
Voltage
Forward
Breakover
Voltage
Specified Minimum
Off - State
Blocking
Voltage (V
DRM
)
+I
-I
+V
-V
Minimum Holding
Current (I
H
)
Voltage Drop (V
) at
Specified Current (i
T
)
Latching Current (I
L
)
Off - State Leakage
Current - (I
DRM
) at
Specified V
DRM
Specified Minimum
Reverse Blocking
Voltage (V
RRM
)
Reverse Leakage
Current - (I
RRM
) at
Specified V
RRM
Breakover
Voltage
Specified Minimum
Off-state
Blocking
Voltage (V
DRM
)
+I
-I
+V
-V
Minimum Holding
Current (I
H
)
Voltage Drop (V
) at
Specified Current (i
T
)
Latching Current (I
L
)
Off-state Leakage
Current – (I
DRM)
at
Specified V
DRM
AN1008
相關PDF資料
PDF描述
BT136X_SERIES_D Triacs logic level
BT136X_SERIES_E Triacs sensitive gate
BT137-700E TRIAC|700V V(DRM)|8A I(T)RMS|TO-220
BT137-700G TRIAC|700V V(DRM)|8A I(T)RMS|TO-220
BT137B_SERIES Triacs
相關代理商/技術參數
參數描述
BT136XSERIESD 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs logic level
BT136XSERIESE 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs sensitive gate
BT137 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Triacs logic level
BT137_SERIES 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Triacs
BT137_SERIES_E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Triacs sensitive gate
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*