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    BZX84-C36T/R

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    BZX84-C36T/R 技術(shù)參數(shù)
    • BZX84C36S-7-F 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 36V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 配置:2 個獨立式 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):36V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 BZX84C36S-7 功能描述:Zener Diode Array 2 Independent 36V 200mW ±6% SOT-363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 配置:2 個獨立式 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):36V 容差:±6% 功率 - 最大值:200mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 25.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 BZX84C36LT3G 功能描述:Zener Diode 36V 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):36V 容差:±6% 功率 - 最大值:225mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 25.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:10,000 BZX84C36LT1G 功能描述:Zener Diode 36V 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):36V 容差:±6% 功率 - 最大值:225mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 25.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:1 BZX84C36LT1 功能描述:Zener Diode 36V 225mW ±6% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):36V 容差:±6% 功率 - 最大值:225mW 阻抗(最大值)(Zzt):90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 25.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:10 BZX84-C39/DG/B2,21 BZX84-C39/LF1R BZX84-C39/LF1VL BZX84C39-7 BZX84C39-7-F BZX84C39-E3-08 BZX84C39-E3-18 BZX84C39-G3-08 BZX84C39-G3-18 BZX84C39-HE3-08 BZX84C39-HE3-18 BZX84C39LT1G BZX84C39LT3 BZX84C39LT3G BZX84C39S-7 BZX84C39S-7-F BZX84C39T-7-F BZX84C39TA
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