IQE006NE2LM5ATMA1晶體管 表面貼裝型 N 通道 25 V 41A（Ta），298A（Tc） 2.1W（Ta）

產(chǎn)品信息

零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
25 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
41A（Ta），298A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
0.65 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）
82.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
5453 pF @ 12 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Ta），89W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
等級(jí)
-
資質(zhì)
-
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PG-TSON-8-4
封裝/外殼
8-PowerTDFN
基本產(chǎn)品編號(hào)
IQE006
　
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公司介紹

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